二极管型号参数对照表,二极管型号参数

摘要：钛媒体App 1月22日消息，从南京工业大学获悉，该校柔性电子(未来技术)学院研究团队在国际上首次将锡基近红外钙钛矿发光二极管外量子效率提升至11.6%。相关研究成果近日发表在国际学术期刊《自然·纳米技术》。 ...

钛媒体App 1月22日消息，从南京工业大学获悉，该校柔性电子(未来技术)学院研究团队在国际上首次将锡基近红外钙钛矿发光二极管外量子效率提升至11.6%。相关研究成果近日发表在国际学术期刊《自然·纳米技术》。

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金融界2024年1月19日消息，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司申请一项名为“发光二极管及其制备方法、显示装置“公开号CN117425365A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示，本申请公开了一种发光二极管，包括层叠的阳极、空穴传输层、发光层及阴极，所述空穴传神经网络。

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jin rong jie 2 0 2 4 nian 1 yue 1 9 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， T C L ke ji ji tuan gu fen you xian gong si shen qing yi xiang ming wei “ fa guang er ji guan ji qi zhi bei fang fa 、 xian shi zhuang zhi “ gong kai hao C N 1 1 7 4 2 5 3 6 5 A , shen qing ri qi wei 2 0 2 2 nian 7 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， ben shen qing gong kai le yi zhong fa guang er ji guan ， bao kuo ceng die de yang ji 、 kong xue chuan shu ceng 、 fa guang ceng ji yin ji ， suo shu kong xue chuan shen jing wang luo 。

金融界2024年1月19日消息，据国家知识产权局公告，中国电信股份有限公司申请一项名为“一种基于发光二极管的数据转换方法、系统、装置与介质“公开号CN117421359A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本申请公开了一种基于发光二极管的数据转换方法、系统、装置和介质后面会介绍。

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金融界2024年1月18日消息，据国家知识产权局公告，常州银河世纪微电子股份有限公司取得一项名为“判断单向二极管极性方向的测试夹具“授权公告号CN220357120U,申请日期为2023年7月。专利摘要显示，本实用新型提供一种判断单向二极管极性方向的测试夹具，包括：测试夹体、电神经网络。

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金融界2024年1月16日消息，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司申请一项名为“发光二极管及显示装置“公开号CN117412651A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示，本申请公开了一种发光二极管，包括层叠的阳极、空穴传输层、发光层及阴极，所述空穴传输层的材料包说完了。

金融界2024年1月16日消息，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司申请一项名为“复合材料及其制备方法、发光二极管“的专利，公开号CN117410410A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示，本申请公开了一种复合材料及其制备方法、发光二极管，该复合材料的制备方法包神经网络。

金融界2024年1月11日消息，据国家知识产权局公告，京东方科技集团股份有限公司取得一项名为“一种有机发光二极管器件及其制备方法、显示装置“授权公告号CN107394052B,申请日期为2017年8月。专利摘要显示，本发明提供一种有机发光二极管器件及其制备方法、显示装置，属于神经网络。

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格隆汇1月9日，银河微电(688689.SH)在投资者互动平台表示，公司碳化硅产品持续研发中。其中，碳化硅肖特基二极管已量产650V和1200V规格。电流范围1A~50A;碳化硅MOSFET 已完成第一代1200V 80mΩ/40mΩ 单管产品的开发。公司在真空焊接、纳米银烧结、耐高温包封等方面说完了。

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金融界2024年1月3日消息，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司取得一项名为“复合材料及其制备方法和量子点发光二极管“授权公告号CN113809248B,申请日期为2020年6月。专利摘要显示，本发明属于发光器件材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子等我继续说。

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还设置有将可见光转换为电信号的光电二极管。发光层紧贴光电转换层的下表面，用于向光电转换层的光电二极管发射可见光。铝膜层覆盖在光电转换层的上表面，用于透过X射线且反射来自下方的可见光。本申请的技术方案能够有效解决光电二极管在长期滞后效应下的残留影像问题。..

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